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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 6234 个

  • KIA50N03A替代NCE3050 50A/30V 封装齐全 规格书下载-KIA MOS管

    NCE3050可用KIA50N03A替代。深圳市可易亚半导体科技有限公司.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计,集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。KIA半导体研发人员以来自韩国(台湾)超一流团队,可以快速根据客户...

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    www.kiaic.com/article/detail/1750.html         2019-07-04

  • 揭阳 互联网体育行业创业-KIA MOS管

    揭阳 互联网体育行业创业,衢州学院经贸管理学院博士戚迪明:对体育产业来讲是一种新的业态,也能够促进这个行业的发展。衢州市主要发展的智慧经济数字产业来讲,经过互联网+和体育赛事的这种融合,是一种新的业态的一种创新发展。“2010年我们推出第一款运动监...

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    www.kiaic.com/article/detail/1749.html         2019-07-04

  • HY1906替代MOS管-HY1906、KNX3308A规格书、封装、参数-KIA MOS管

    下文将会详细的介绍国产MOS管KNX3308A和HY1906两个产品的主要参数、封装、应用领域等产品信息。KIA半导体是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计,集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。从设计研发到制造再到...

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    www.kiaic.com/article/detail/1747.html         2019-07-03

  • MOS管NCE3050封装-NCE3050规格书下载|NCE3050参数等-KIA MOS管

    MOS管NCE3050产品特征VDS=30V,ID=50ARDS(ON)<11mΩ@VGS=10VRDS(ON)<16mΩ@VGS=4.5V超低RDSON高密度电池设计稳定性好,均匀性好良好的散热包装高静电放电性能的特殊工艺技术

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    www.kiaic.com/article/detail/1746.html         2019-07-03

  • 最全面场效应管开关电路详解的文章,初学入门必读

    在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上,用半导体光刻、扩散工艺制造两个高掺杂浓度的N+区,并用金属铝引出两个电极,分别作为漏极D和源极S。然后在漏极和源极之间的P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅(Si02)绝缘层膜,在再这个绝缘层膜上装上一个铝电极,...

    www.kiaic.com/article/detail/463.html         2019-07-02

  • NCE80H16可用哪些品牌替代-MOS管参数、封装、规格书详情-KIA MOS管

    KIA2808A可替代NCE80H16,KIA半导体是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计,集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。从设计研发到制造再到仓储物流,KIA半导体真正实现了一体化的服务链,真正做到了服务细节全...

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    www.kiaic.com/article/detail/1745.html         2019-07-02

  • NCE80H16 160A/80V中文资料-NCE80H16参数、封装尺寸-KIA MOS管

    NCE80H16产品特征VDS=80V,ID=160ARDS(ON)<4.7mΩ@VGS=10V超低RDSON高密度电池设计稳定性好,均匀性好良好的散热包装高静电放电性能的特殊工艺技术

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    www.kiaic.com/article/detail/1744.html         2019-07-02

  • 关于开关电源正激与反激的区别在哪里及工作原理、应用等分析-KIA MOS管

    了解开关电源正激与反激的区别之前,我们先了解一下正激与反激的一些基础知识。正激是一种开关电源技术。正激式开关电源是指使用正激高频变压器隔离耦合能量的开关电源,与之对应的有反激式开关电源。正激具体所指当开关管接通时,输出变压器充当介质直接耦合磁...

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    www.kiaic.com/article/detail/1742.html         2019-07-01

  • 非常实用的电子工程师常用的17款软件 你知道多少-KIA MOS管

    文中详细讲述了电子工程师常用的17款软件,电子(electron)是带负电的亚原子粒子。它可以是自由的(不属于任何原子),也可以被原子核束缚。原子中的电子在各种各样的半径和描述能量级别的球形壳里存在。球形壳越大,包含在电子里的能量越高。在电导体中,电流由...

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    www.kiaic.com/article/detail/1741.html         2019-07-01

  • 湘桥 互联网体育竞技如何做好引流-KIA MOS管

    湘桥 互联网体育,如今,“互联网+体育”的应用场景已渗透到生活的方方面面,无论是看体育、玩体育还是做体育,都因“互联网+”变得更加丰富。空气净化器,相信大家都很熟悉。百度它主要的用途就是净化空气,它能够有效去除甲醛等一系列有害物质,其中包含空气...

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    www.kiaic.com/article/detail/1740.html         2019-06-28

  • 七大电路故障的原因分析-电容故障特点及维修方法-KIA MOS管

    电路故障的原因分析,分析电路的方法,电路:由金属导线和电气、电子部件组成的导电回路,称为电路。在电路输入端加上电源使输入端产生电势差,电路连通时即可工作。电流的存在可以通过一些仪器测试出来,如电压表或电流表偏转、灯泡发光等;按照流过的电流性质...

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    www.kiaic.com/article/detail/1739.html         2019-06-28

  • 反激电源工作原理-反激电源高压MOS管尖峰电流来源与减小方法-KIA MOS管

    反激式开关电源是指使用反激高频变压器隔离输入输出回路的开关电源,与之对应的有正激式开关电源。“反激”(FLY BACK)具体所指当开关管接通时,输出变压器充当电感,电能转化为磁能,此时输出回路无电流;相反,当开关管关断时,输出变压器释放能量, 磁能转化...

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    www.kiaic.com/article/detail/1737.html         2019-06-28

  • mos线性阈值模型

    当沟道的边缘效应变得不可疏忽时,随着沟道的缩减,n沟道MOSFET的阈值电压通常会变得不像原先那么正,而关于p沟道MOSFET而言,则不像原先那么负,图6.23显现了在VDS=o.05V时VT下跌的现象.阈值电压F跌可用如图6.24所示的电荷共享(chargesharing)模型来加以解释...

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    www.kiaic.com/article/detail/299.html         2019-06-27

  • MOS管十大品牌-可易亚MOS管十大品牌-可易亚MOS管研发制造-KIA MOS管

    可易亚MOS管十大品牌,可易亚MOS管十大品牌有着价格、产品等优势。可易亚MOS管是开发设计、集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。主营产品是:中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管。可易亚强大的研发平台,使得KIA在工艺制造、产...

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    www.kiaic.com/article/detail/1731.html         2019-06-27

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