-
功率MOS管 失效分析、MOS管失效分析案例、功率MOS管失效原因分析、功率场效应晶体管失效分析、功率MOSFET雪崩能量及雪崩失效分析、MOS管失效的六大原因、电子元器件失效分析技术、功率MOS失效位置的判定方法技术
www.kiaic.com/article/detail/1274.html 2018-11-16
-
功率MOSFET选型方法、MOSFET参数选择、功率MOSFET选型建议、功率MOSFET选型步骤、功率MOSFET选型法宝、功率MOSFET有两种类型:N沟道和P沟道,在系统设计的过程中选择N管还是P管,要针对实际的应用具体来选择,N沟道MOSFET选择的型号多,成本低;P沟道MOSFET选择...
www.kiaic.com/article/detail/1273.html 2018-11-16
-
cmos与非门电路,与非门是与门和非门的结合,先进行与运算,再进行非运算。与非运算输入要求有两个,如果输入都用0和1表示的话,那么与运算的结果就是这两个数的乘积。如1和1(两端都有信号),则输出为0;1和0,则输出为1;0和0,则输出为1。与非门的结果就是...
www.kiaic.com/article/detail/1270.html 2018-11-15
-
分析cmos电路逻辑,CMOS是单词的首字母缩写,集成电路是一块微小的硅片,它包含有几百万个电子元件。术语IC隐含的含义是将多个单独的集成电路集成到一个电路中,产生一个十分紧凑的器件。在通常的术语中,集成电路通常称为芯片,而为计算机应用设计的IC称为计算...
www.kiaic.com/article/detail/1269.html 2018-11-15
-
MOS管KNX3308B产品主要参数可替代飞虹90N081、型号:KNX3308B2、电流:80A3、压:80V4、漏源极电压:80V5、栅源电压:±25V6、雪崩电流:40A7、雪崩能源:440MJ8、接头和储存温度范围:-55℃至+175℃
www.kiaic.com/article/detail/1268.html 2018-11-14
-
电力场效应管工作原理:增强型NMOS管需要加合适的电压才能工作。加有电压的增强型NMOS管。电源E1通过R1接场效应管的D、S极,电源E2通过开关S接场效应管的G、S极。在开关S断开时,场效应管的G极无电压,D、S极所接的两个N区之间没有导电沟道,所以两个N区之间不...
www.kiaic.com/article/detail/1267.html 2018-11-14
-
KIA半导体论坛,关于电子元器件、MOS管技术文案、电路设计及应用领域电路方案、行业分析等工程师学习资料等等!
www.kiaic.com/article/detail/1091.html 2018-11-14
-
MOS管KIA3510A主要参数:1、型号:KIA3510A2、75A3、电压:100V4、漏源极电压:100V5、栅源电压:±25V6、最高结温:175℃7、贮存温度范围:-55℃至+175℃8、脉冲漏电流:219A9、雪崩电流:30A10、雪崩能源:225MJ
www.kiaic.com/article/detail/1265.html 2018-11-13
-
mos管驱动电机电路图,工作频率和驱动信号的占空比不是很大,并且VMOS的功率规格也不是很大时,普通并不需求为VMOS配置特地的驱动电路。通用的CMOS半导体(互补金属氧化物品体管逻辑IC)、TTL(晶体管逻辑)集成电路、常见的PWM专用IC的输出级都能够直接驱动VMOS...
www.kiaic.com/article/detail/1263.html 2018-11-13
-
稳压二极管(又叫齐纳二极管)是一种硅材料制成的面接触型晶体二极管,简称稳压管。此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。稳压管在反向击穿时,在一定的电流范围内(或者说在一定功率损耗范围内),端电压几乎不变,表现出稳压特性...
www.kiaic.com/article/detail/1261.html 2018-11-12
-
5V三端稳压管工作原理,在电路板上,我们经常会看到一个类似三极管的元件---三端稳压器。三端稳压器常用在需要电压变换的地方。如18伏变12伏、12伏变5伏。常见的三端稳压器有78系列的7805、7808、7809、7812、7824等。78后面的数字代表稳压器输出的电压值。78系...
www.kiaic.com/article/detail/1260.html 2018-11-12
-
KNX2804A产品特性:1、专有新沟槽技术 2、RDS(ON),类型=3.0mΩ(Typ)@VGS=10V 3、低门电荷减小开关损耗 4、快速恢复体二极管
www.kiaic.com/article/detail/1259.html 2018-11-09
-
KNX2908A产品特性:1、专有新沟槽技术2、RDS(ON),Typ.=5.0mΩ@VGS=10V3、低门电荷减小开关损耗4、快速恢复体二极管
www.kiaic.com/article/detail/1258.html 2018-11-09
-
mos管h桥驱动电路图,h桥是一种电子电路,可使其连接的负载或输出端两端电压反相/电流反向。这类电路可用于机器人及其它实作场合中直流电动机的顺反向控制及转速控制、步进电机控制(双极型步进电机还必须要包含两个H桥的电机控制器),电能变换中的大部分直流...
www.kiaic.com/article/detail/1257.html 2018-11-09